- 磁控溅射镀膜仪
- 热蒸发镀膜仪
- 高温熔炼炉
- 等离子镀膜仪
- 可编程匀胶机
- 涂布机
- 等离子清洗机
- 放电等离子烧结炉
- 静电纺丝
- 金刚石切割机
- 快速退火炉
- 晶体生长炉
- 真空管式炉
- 旋转管式炉
- PECVD气相沉积系统
- 热解喷涂
- 提拉涂膜机
- 二合一镀膜仪
- 多弧离子镀膜仪
- 电子束，激光镀膜仪
- CVD气相沉积系统
- 立式管式炉
- 1200管式炉
- 高温真空炉
- 氧化锆烧结炉
- 高温箱式炉
- 箱式气氛炉
- 高温高压炉
- 石墨烯制备
- 区域提纯炉
- 微波烧结炉
- 粉末压片机
- 真空手套箱
- 真空热压机
- 培育钻石
- 二硫化钼制备
- 高性能真空泵
- 质量流量计
- 真空法兰
- 混料机设备
- UV光固机
- 注射泵
- 气体分析仪
- 电池制备
- 超硬刀具焊接炉
- 环境模拟试验设备
- 实验室产品配件
- 实验室镀膜耗材
- 其他产品
RTP快速退火炉主要用于完成材料制备过程中的快速热处理工艺工作.
RTP快速退火炉主要功能和特点:
1、更短的工艺时间；
2、更快的升、降温速率；
3、处理基片时杂质运动zui小；
4、减少颗粒沾污；
5、由于腔体体积不大，气氛纯度容易控制.
RTP快速退火炉应用领域：
1、活化离子注入杂质，形成超薄结合。离子注入是半导体制造工艺中非常重要的一道工序，是用来把改变导电率的搀杂材料注入半导体晶片的标准工艺技术。
2、制作高质量的 SiO,膜层。IC 制造对氧化膜层提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜层更薄，采用传统的技术即通过降低氧化反应的温度来降低氧化速率即会带来另一个问题，生长温度的降低会导致固定电荷和界面密度增加，影响氧化层质量。RTP热氧化工艺可以在合适的高温下实现短时间的氧化。另一方面，可以利用往腔体内通入氩或其它惰性气体来稀释氧气达到降低氧化速率的目的。
3、用于金属硅化物合金形成。RTP快速退火炉被广泛地用于在器件中制备金属硅化物。
RTP快速退火炉技术参数：
|
产品名称 |
RTP快速退火炉【管式】 |
|
产品型号 |
CY-RTP1200-T4-H |
|
有效尺寸 |
Φ100mm |
|
基片尺寸 |
≦4英寸 |
|
升温速率 |
B型为标准配置：≦200℃/S,供电要求:AC380V/60Hz，功率18KW |
|
降温速率 |
200℃以上≤25min |
|
控温模式 |
可预设曲线，按流程控温 |
|
控温精度 |
±1℃ |
|
工作温度 |
≦1000℃ |
|
测温位置 |
测温点置于样品处 |
|
密封法兰 |
水冷式 |
|
工作真空 |
10-3Pa～105Pa均可 |
|
可通气氛 |
可通：氮气，氩气，氧气等非危险、非腐蚀气体 |
|
真空测量 |
标准配置：电阻规，量程1Pa～105Pa |
|
选装配置：复合真空计，量程10-5Pa～105Pa |
|
|
真空系统 |
标准配置：VRD-4真空泵1台 |
|
供电要求 |
要求配备32A2P空气开关，电源电压AC380V/60Hz |
|
水冷机组 |
水箱容量9L，zui大扬程10m |
|
整机尺寸 |
1200mm x 610mm x 570mm |
|
包装尺寸 |
1475*700*800 |
|
包装重量 |
180Kg |
|
随机配件 |
1、说明书1本 |
|
2、随机配件1套 |
|
|
3、配件清单1份 |
